非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。
该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。
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产品参数
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技术指标 |
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探测器材料 |
铟镓砷、硅、碲镉汞 |
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响应波长范围 |
0.4 - 12um ——注解1 |
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输出电压 |
±12V(Hi-Z负载)； ——注解1 |
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供电电压 |
±12VDC(电源适配器)； |
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信号输出接口 |
SMA |
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工作温度范围 |
10 - 40℃ |
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储存温度范围 |
-25 - 70℃ |
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尺寸 |
56×54.5×20.5mm3 |
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重量 |
＜100g |
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信号带宽 |
DC - 1MHz |
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跨阻增益 |
15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载） |
注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同
硅探测器：0.4-1.7um
铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um
碲镉汞探测器：4-12um
铟砷锑探测器：4-12um
型号规格
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
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①=A |
不集成 TEC 驱动 |
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②=D |
直流耦合输出 |
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③=S；I；H；A |
代表探测器材质；S=硅探测器；I代表铟镓砷探测器；H代表碲镉汞探测器；A代表铟砷锑探测器 |
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④ =01；02；03；04依次类推 |
探测截止波长; 01表示截止波长为1um，02表示截止波长为2um，03表示截止波长为3um，依次类推。客户采购前需咨询。 |
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⑤ =02,05,10,... |
感光面积；02表示感光面积为0.2mm2,05表示感光面积为0.5mm2。客户采购前需咨询 |
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⑥ =01K, 02K, ...or 20 K |
前置放大器增益，默认15K不标识。客户采购前需咨询。 |
例如：
HPPD-A-D-S-02-10-10K
该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器
注意事项：
1. 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。
2. 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。
电话：
